GaAs外延层蒸镀Cr和Au膜制作欧姆接触工艺

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

论文 | 更新时间：2020-08-12

- GaAs外延层蒸镀Cr和Au膜制作欧姆接触工艺
- A Technigue of Making Ohmic Contact with Cr and Au PIating Evaporated on GaAs Epilayer
- 光学精密工程 1995年3卷第2期页码：84-87
- 作者机构：
  
  长春光学精密机械学院, 近代光学研究所, 长春130022
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1994-07-28，
  
  网络出版日期：1995-04-15，
  
  纸质出版日期：1995-04-15
- 稿件说明：
移动端阅览
杨晓妍. GaAs外延层蒸镀Cr和Au膜制作欧姆接触工艺[J]. 光学精密工程, 1995,(2): 84-87

Yang Xiaoyan. A Technigue of Making Ohmic Contact with Cr and Au PIating Evaporated on GaAs Epilayer[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1995,(2): 84-87
杨晓妍. GaAs外延层蒸镀Cr和Au膜制作欧姆接触工艺[J]. 光学精密工程, 1995,(2): 84-87 DOI：

Yang Xiaoyan. A Technigue of Making Ohmic Contact with Cr and Au PIating Evaporated on GaAs Epilayer[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1995,(2): 84-87 DOI：

目前国内外在各种金属上电镀、蒸镀Cr或Cr、Au

是因为Cr耐磨损、抗腐蚀

与稀酸作用缓慢

与被镀件结合力强。有力地保护被镀件

提高被镀件的使用寿命。外延后的GaAs衬底解理成激光器之前

要进行光刻

把镀在P型GaAs外延片刻沟糟处的Cr去掉。本文介绍在GaAs激光器的P型外延层上蒸镀Cr和Au的工艺及去除Cr的新工艺。

t present Cr or Cr

Au platings are formed on metal workpieces electicall or by evaporation at home and abroad

as Cr is resistance to corrosion

wear and tear resistance

reacting slowly with dilute acids

and having a strong adhesive force with the workpiece on which it is formed.So that the workpiece can be well protected

thus extend the life time of the worpiece. Before the epitaxial GaAs wafers being cleaved into lasers

the wafers should be photoetched.Up to now

there has no reports on how to removed the Cr on the channels on the epitaxial GaAs. This paper presents the Cr

Au evaporating technotogy on the epitaxialwafers and the new Cr removing technology.

浏览量

442

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据