Presence and Future Developing Tendency of Ion etching Technology
光学精密工程1998年6卷第2期 页码:7-14
作者机构:
中国科学院长春光学精密机械研究所 长春,130022
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中图分类号:
收稿日期:1997-10-06,
修回日期:1998-01-09,
网络出版日期:1998-04-15,
纸质出版日期:1998-04-15
稿件说明:
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任延同. 离子刻蚀技术现状与未来发展[J]. 光学精密工程, 1998,(2): 7-14
REN Yan-Tong . Presence and Future Developing Tendency of Ion etching Technology[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1998,(2): 7-14
任延同. 离子刻蚀技术现状与未来发展[J]. 光学精密工程, 1998,(2): 7-14DOI:
REN Yan-Tong . Presence and Future Developing Tendency of Ion etching Technology[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1998,(2): 7-14DOI: