يتطابق ليزر أشباه الموصلات بطول موجي 852 نانومتر بشكل كبير مع انتقال الخط D₂ لذرة السيزيوم، وهو مصدر ضوئي رئيسي في ساعة ذرة السيزيوم، الاستشعار الكمومي، التحكم في الذرات الباردة، وأنظمة الطيف الدقيق. تستعرض هذه الدراسة التقدم البحثي في ليزرات أشباه الموصلات عند طول موجي 852 نانومتر من حيث نظام مواد آبار الكم، تصميم بنية الجهاز، تحسين الأداء الأساسي والتطبيقات الهندسية. تم تحليل تطور أنظمة AlGaAs/GaAs، InGaAsP/GaAs الخالية من الألومنيوم، وInAlGaAs/GaAs من وجهة نظر تطور المواد، موضحًا الترابط الداخلي بين قدرة حصر الحاملات، موثوقية سطح الحجرة، استقرار درجة الحرارة، وكفاءة التحويل الكهروضوئي. تم تلخيص حالة التطور لأنواع الأجهزة: ليزر التغذية المرتدة الموزعة (DFB)، ليزر الإنبعاث السطحي ذو التوافق الرأسي (VCSEL)، ليزر التغذية المرتدة بالحجرة الخارجية، ليزر الإنبعاث السطحي ذي الحجرة الخارجية الرأسية (VECSEL)، وليزر البث الجانبي عالي القدرة، مع مقارنة الاختلافات في عرض الخط، القدرة، كفاءة الميل، استقرار الوضع الأحادي، وتكامل النظام. أخيرًا، تم تحليل منتجات الليزر التجارية المحلية والدولية عند 852 نانومتر، مشيرًا إلى أن السوق المحلي لا يزال يركز على التوزيع والمجمعات المدمجة وتكامل الجهاز الكامل، في حين أن الشريحة الأساسية ورقاقة الكسب ما تزال تعتمد على الموردين الأجانب. في المستقبل، سيتجه ليزر أشباه الموصلات بطول 852 نانومتر نحو عرض خط ضيق، قدرة عالية، كفاءة مرتفعة، استقرار درجة حرارة واسع، موثوقية عالية، وتكامل على مستوى الشريحة، مما يدعم الجيل الجديد من ساعات ذرة السيزيوم وأنظمة القياس الدقيق الكمومي.

ليزر أشباه الموصلات; هيكل آبار الكم; مؤشرات الأداء الأساسية; ساعة ذرة السيزيوم