تحليل الانحرافات الإجرائية المنهجية للمرشد الموجي السيليكوني الأحادي الوضع والمصفوفة الشبكية أثناء النقش الجاف
摘要
تقييم منهجي في هذه الدراسة لعلاقة الإقران بين تناسق عملية الطباعة الضوئية والنقش الجاف على رقاقة السيليكون بقياس 8 بوصات على الطبقة المعزولة لأداء الشكل الفيزيائي والبصري لأجهزة السيليكون البصرية غير النشطة. استنادًا إلى منصة سيليكون بطبقة علوية بسمك 220 نانومتر، تم تنفيذ العمليات باستخدام الطباعة الضوئية بالأشعة فوق البنفسجية العميقة ونقش البلازما المتفاعل بالتأين عبر الحث، لإكمال عمليتي تصفية كاملة للترانزستورات المشطية (نقش ضحل بعمق 70 نانومتر) والمرشد الموجي الأحادي الوضع ذو الحفر الكامل (220 نانومتر). تم تطبيق المجهر الذري وقذيفة إلكترونية للبعد الحرج ومنصة استقصاء بصرية أوتوماتيكية بالكامل على خمسة رقائق سيليكون بقطر 8 بوصات لقياس الأبعاد الفيزيائية والخسارة الانتقالية بشكل شامل. أظهرت النتائج أن متوسط عمق النقش وعرض الخط على مستوى الرقائق المختلفة كان مستقرًا نسبيًا؛ ومع ذلك، لوحظ وجود انحرافات إجرائية شعاعية داخل الرقاقة الواحدة، حيث أن الانكماش الميكروي للبعد بمنطقة الحافة وتدهور شكل الجدار الجانبي قد يؤثران على توزيع الحقل الضوئي ويزيدان من خسارة التشتت الناجم عن الجدران الجانبية، مما يؤدي في النهاية إلى زيادة خسارة النقل في المرشد الموجي الأحادي من المركز باتجاه الحواف. في الختام، فإن تأثير الحمل الماكروي وسلوك النقش الجانبي المحتمل أثناء عملية النقش الجاف على الرقائق الكبيرة الحجم هي من العوامل الهامة التي تؤثر على تماسك أداء رقائق السيليكون الضوئية ضمن الشريحة، هذا الاكتشاف يوفر مرجعًا تجريبيًا وأساسًا لتحسين العمليات وتعويض التأثيرات القريبة الضوئية وتحسين جودة الإنتاج في منصة SOI ذات 8 بوصات.
关键词
الفوتونيات السيليكونية;مرشد سيليكوني أحادي الوضع;مصفوفة شبكية;SOI بقطر 8 بوصات;نقش ICP-RIE الجاف;تناسق على مستوى الرقاقة;فقدان النقل;تأثيرات الحافة
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website