En raison des limitations de performance des détecteurs photoélectriques flexibles liées à la faible adhésion à l'interface entre la structure photosensible micro-nano et le substrat flexible, au courant d'obscurité élevé et à la consommation d'énergie importante, une stratégie d'amélioration des performances basée sur l'effet photoélectronique piézoélectrique est proposée. Grâce à la technologie d'écriture directe par filage électrostatique, un système bicomposant utilisant le dioxyde de zinc (ZnO) comme fibre principale et le complexe cuivre-ammoniac (Cu(NH₃))(CN) comme fibre auxiliaire de régulation a été construit, préparant une structure empilée hautement contrôlée de nanofibres multicouches ZnO@ (Cu(NH₃))(CN). Cette structure renforce significativement la stabilité du couplage d'interface entre les fibres, utilise l'effet photoélectronique piézoélectrique généré à l'interface empilée pour introduire une barrière asymétrique et un champ électrique interne au contact, inhibant la migration des électrons thermiquement excités, réduisant le courant d'obscurité du dispositif à 1,12×10^-7 A, diminuant ainsi considérablement la consommation statique d'énergie. En régulant raisonnablement le nombre de couches empilées (5~25), la tension de seuil du dispositif est ajustable entre 6 et 20 V, lui conférant une capacité de commande logique programmable. Les résultats expérimentaux montrent que sous une irradiation UV de 254 nm, la détectivité atteint 13,3 A/W, les temps de réponse et de récupération sont respectivement de 11 ms et 9 ms, démontrant d'excellentes performances de détection optique. La structure orthogonale empilée des nanofibres ZnO et (Cu(NH₃))(CN) présente des avantages significatifs pour le contrôle du champ électrique microscopique et l'amélioration de l'efficacité de conversion photoélectrique, ayant un potentiel d'application important dans les systèmes de détection photoélectriques flexibles à faible consommation et haute sensibilité, apportant une nouvelle perspective pour la conception des dispositifs photoélectriques flexibles de nouvelle génération.

Filage électrostatique direct;Détecteur photoélectrique flexible;Effet d’amplification photoélectronique piézoélectrique;Circuits optoélectroniques