Lors du dépôt de films multicouches Mo-Si, le mélange thermodynamique spontané entre les atomes de Mo et de Si conduit facilement à la formation d'une couche de transition de siliciure. Parallèlement, les fluctuations microscopiques s'amplifient continuellement sous l'effet cumulatif de la croissance par cycles multiples. Cette diffusion intercalaires et la rugosité de l'interface réduisent fortement le contraste de l'indice de réfraction à l'interface optique, diminuant ainsi significativement la performance globale de réflexion des films multicouches et l'efficacité de la lithographie. Pour résoudre ce problème, les mécanismes physiques microscopiques de la diffusion à l'interface et de la croissance des films ont été analysés en profondeur, et une méthode d'optimisation combinée par dépôt angulaire et gravure en incidence rasante a été proposée. Grâce à une modification matérielle directionnelle approfondie du système traditionnel de pulvérisation ionique double, un contrôle précis de l'énergie des particules pulvérisées et de leur trajectoire d'incidence a été réalisé. Les résultats expérimentaux montrent que, sans introduction d'une couche barrière supplémentaire pour la diffusion à l'interface (évitez ainsi les pertes dues à l'absorption optique de la couche barrière), cette méthode a permis de réduire considérablement l'épaisseur de la couche de diffusion à l'interface Mo-Si à 0,6 nm, et de contrôler strictement la rugosité intercalaires en dessous de 0,2 nm, fournissant ainsi un guide potentiel pour la fabrication de films multicouches Mo-Si à haute réflectivité EUV.

Films multicouches réfléchissants Mo-Si; Lithographie EUV; Pulvérisation ionique double; Dépôt angulaire; Gravure en incidence rasante