摘要
長波長赤外レーザーが赤外視線固定イメージングシステムのHgCdTe赤外検出器コンポーネントに及ぼす損傷メカニズムを探求するために、ANSYSソフトウェアシミュレーション研究に基づき、9.3 μmレーザーがHgCdTe赤外検出器に与える損傷効果の実験を実施した。ANSYSソフトウェアを利用してレーザー照射されたHgCdTe赤外検出器の有限要素理論シミュレーションモデルを構築し、9.3 μmパルスCO2レーザー照射下での検出器モデルの温度上昇分布を得た。融解温度に達したかどうかを判定基準とし、検出器部品のシミュレーション損傷閾値を得た。野外実験を通じてHgCdTe赤外検出器の実際の作動環境下での損傷閾値を取得し、実験結果を整理・分析してHgCdTe赤外検出器コンポーネントの実験的損傷閾値を得た。研究結果は、有限要素理論シミュレーションに基づくHgCdTe赤外検出器モデルの損傷閾値が0.54～1.1 J/cm2であり、実験で得られた損傷閾値0.69～1.23 J/cm2と比較的よく一致していることを示している。シミュレーション結果と実験結果は共にBartoli理論の計算結果と良く符合しており、モデルと実験結果の妥当性を検証した。
关键词
赤外検出器;有限要素;HgCdTe;TEA CO2レーザー
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