従来の干渉計はレーザー光源を採用しているが、レーザーの高いコヒーレンス性により、平行平板やプリズムなどの特殊光学素子の測定時に深刻な干渉が発生する。LEDやタングステンランプなどの光源は、コリメーション性能が低く、光強度の安定性に欠け、コヒーレンス長が短いため、特殊光学素子検査用干渉計の光源として適していない。短コヒーレンスレーザー光源は指向性が良く、輝度が高く、適度なコヒーレンス長を持つという利点があり、特殊素子検査用干渉計の理想的な光源である。短コヒーレンス干渉計における光源の要求に対応して、電流変調による半導体レーザー光源のコヒーレンスについて理論的に検討した。研究結果は、変調周波数が高く、変調強度が大きいほど光源のコヒーレンス長が短くなり、バイアス電流が大きいほど出力パワーが高くなり、コヒーレンスも良くなり、短コヒーレンス光源の生成には不利であることを示した。これに基づき、コヒーレンス長80μm、サイドローブ抑制比0.31、出力光パワー30mWの短コヒーレンスレーザー光源を構築・製作し、短コヒーレンス測定の光源要求を満たした。

半導体レーザー;短コヒーレンス光源;コヒーレンス関数;電流変調