集束イオンビーム技術を用いて微細構造を加工する際、スパッタリング過程での再堆積効果により、比較的急峻な側壁を得ることが難しく、特に高い深さ対幅比を持つ微細構造において顕著である。集束イオンビームの加工プロセスを最適化するために、単一ピクセルライン補助のスパッタエッチング手法を提案し、非急峻な側壁の局所的なエッチング修正を行い、再堆積現象の改善と側壁の垂直度の向上を図った。セルラーオートマトンアルゴリズムを用いて、本手法をスパッタ過程に適用した際の各パラメータがエッチング結果に与える影響を数値シミュレーションし、V字断面側壁の修正効果を得た。また、実際の加工における局所エッチ修正位置の選択に、側壁の再堆積改善とイオンビームスポットの拡散との間に矛盾があることを指摘した。集束イオンビームエッチング実験により本手法の有効性を検証し、局所エッチ修正の最適位置を特定した。幅100 nmのリング状微細構造のエッチングにおいて、チャネル側壁の補正効果が良好で、深さ対幅比3:1の溝構造を得た。本手法は類似微細構造における再堆積現象の緩和に技術的支援を提供することができる。

集束イオンビーム;再堆積効果;高深幅比;側壁補正