摘要
シリコンウェハデバイスの精密研削加工における破壊損傷の法則と進展メカニズムを探るため、単一のダイヤモンド粒子による単結晶シリコンウェハのミクロン傷実験を行い、ウェハの端部に接着包覆の有無という2つの条件下で、傷の入口部、内部、出口部の3区間における破壊損傷の形態的特徴を分析し、音響放出強度、研削力、切込み深さ、摩擦係数と破壊損傷との内在的な密接関係を構築した。単結晶シリコンの破壊損傷は荷重圧力または切込み深さの増加に伴い悪化し、放出される音響放出信号の強度が増加する。単結晶シリコン内部破壊発生の臨界閾値条件：荷重約80 mN、切込み深さ約2 µm、音響放出強度約8%。接着包覆は単結晶シリコンウェハ端部の靭性向上に顕著な効果があり、端部崩壊発生の臨界閾値条件は：荷重約800 mN、切込み深さ約6 µm、音響放出強度約55%。
关键词
シリコンウェハ;切削;ミクロン傷;破壊損傷
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