摘要
新しいX線コリメーターを開発するために、電子ビームリソグラフィー（EBL）技術を利用し、電鋳および湿式化学エッチング工程と組み合わせて、懸架されたSi3N4膜上に大面積で高アスペクト比、マイクロメートル周期のAuグレーティングを作製した。フィールド接合領域の露光量を調整することで大面積EBLリソグラフィーの問題を解決し、補強リブ構造により高アスペクト比、高密度フォトレジストテンプレートの作製時の線の倒壊問題を克服し、Si3N4膜下に非常に薄いSi層（厚さ25 nm）を残し、現像工程を改善することで、厚いフォトレジストが300 nm厚のSi3N4膜上で現像される際のフォトレジスト破断問題を克服した。実験結果は、製作した2 μm周期、深さ／幅比5.5、面積400 μm×1000 μmのAuグレーティングが8 keVの光子エネルギーを持つX線を変調できることを示した。製作したAuグレーティングスリットは、線形平行X線CTシステムの検出器コリメーターまたは面平行X線CTシステムの光源コリメーターとして使用でき、システムの撮像速度を向上させる。
关键词
X線コリメーター;Auグレーティング;電子ビームリソグラフィー;高アスペクト比;金メッキ
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