摘要
5G信号のチャネル帯域幅の要件に基づき、セラミック基板における「類同軸」インターコネクトのマイクロ波特性を研究し、新しい非垂直インターコネクト構造を設計した。セラミック誘電層間のメタライズドビアのずれ設計により、垂直ビアと水平伝送線路の曲がり角におけるインピーダンスの突変を改善し、高周波信号の伝送に有利で帯域幅をさらに拡張した。ずれ角度、階段段数、はんだボールの半径およびはんだボール間隔が伝送性能に与える影響を分析し、広帯域低損失のインターコネクトセラミック基板を設計・実装した。試験結果は、本構造の最高適用周波数が55 GHzに達し、DC-55 GHz帯域での挿入損失は1.5 dB未満、反射損失は15 dB以上であり、実測データを用いた信号伝送検証において、プリエンファシスやイコライザーを導入せずとも56 G/112 G NRZ、112 G PAM4の高速信号伝送が可能であることを示した。
关键词
無線通信;5G;高速;セラミック基板;類同軸;プリエンファシス
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