高出力青色半導体レーザー出力を実現するために、青色レーザーバーの封止技術を研究した。金-スズの硬質はんだを用いて高出力窒化ガリウム（GaN）青色半導体レーザーバーを封止し、銅-タングステン遷移放熱板をバッファ層として用いて銅放熱板とGaNレーザーチップ間の封止残留応力を抑制した。高精度チップマウンターを用いてチップを銅-タングステン遷移放熱板上に共晶接合した。チップマウンターのマウンティング品質はデバイスの出力特性に直接影響するため、マウンターのはんだ付け温度、はんだ付け圧力、はんだ付け時間がデバイスに与える影響を重点的に分析した。実験結果は、はんだ付け温度が320℃、はんだ付け圧力が0.5N、はんだ付け時間が40秒のとき、はんだ層界面の空洞が最小で、熱抵抗が最小の0.565℃/W、閾値電流が4.9Aで最小、注入電流30A時に出力光出力が最大32.21W、最高光電変換効率が23.3％に達したことを示した。したがって、はんだ付け温度、はんだ付け圧力、はんだ付け時間を最適化した後、金-スズ硬質はんだを用いて青色半導体レーザーチップを銅-タングステン遷移放熱板に共晶接合する技術方案は、青色半導体レーザーバーの高出力動作を実現する有効な方法である。

高出力レーザー;半導体レーザー;窒化ガリウム;青色;レーザーバー;銅-タングステン遷移放熱板