フォトンバンドギャップ光ファイバーは独特の構造形式、伝送媒体および導光メカニズムを持ち、これにより従来の光ファイバーにはない利点を有し、将来の光ファイバージャイロの理想的選択肢となっています。しかし、フォトンバンドギャップ光ファイバーの粗いコア内壁は強い逆方向散乱サブ波を発生させ、光子バンドギャップ光ファイバージャイロに追加の非可逆誤差をもたらします。フォトンバンドギャップ光ファイバーの逆方向散乱サブ波の強度を定量的に分析するため、本論文は電気双極子放射理論に基づき簡単な逆方向散乱サブ波の理論モデルを構築しました。集束イオンビーム微細加工法と原子間力顕微鏡測定により、正確なコア内壁表面形状パワースペクトル密度が得られ、それによりHC-1550-02型フォトンバンドギャップ光ファイバーの逆方向散乱係数の理論値は2.61×10⁻⁹/mmと計算されました。光周波数領域逆方向反射散乱計を用いてHC-1550-02型フォトンバンドギャップ光ファイバーの逆方向散乱係数の測定値は約1.82×10⁻⁹/mmと得られ、逆方向散乱サブ波モデルの正確性が初めて検証され、逆方向散乱サブ波抑制技術研究の基礎が築かれました。

フォトンバンドギャップ光ファイバー;逆方向散乱サブ波;パワースペクトル密度