摘要
パネルレベルのMicro-LEDディスプレイパネルの製造品質を向上させるために、不良Micro-LEDチップを現地で除去および修復する必要がある。COMSOLを利用してレーザー二温度アブレーションモデルを構築し、不良Micro-LEDチップのレーザー除去メカニズムおよびプロセスパラメータの最適化を行った。単一パルスレーザーによるMicro-LEDチップのアブレーションで形成される表面スポットの直径の二乗からMicro-LEDのアブレーション閾値を推定し、レーザーパラメータとアブレーション深さの関係をフィッティングし、二温度アブレーションモデルの正確性を検証した。レーザースポットの重なり率、エネルギー密度、および異なる走査パスにおける対応するチップのアブレーション特性と除去メカニズムを分析し、二温度アブレーションモデルと併せてレーザースキャンパスおよび対応するプロセスパラメータの最適化を完了した。結果は、フェムト秒レーザーアブレーションモデルによるMicro-LEDチップレーザーアブレーション加工の最大解析誤差が9.28％であり、最適化されたレーザー除去モードが1秒/チップの迅速かつ高精度な剥離およびパッド表面の高品質な平坦化修復を実現し、大面積Micro-LEDディスプレイパネルの大規模生産における不良チップの迅速な修復に重要な指針となることを示した。
关键词
フェムト秒レーザー;現地除去;マイクロ発光ダイオードディスプレイ;不良チップ
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