집중 이온 빔 기술을 이용하여 미세 구조물을 가공할 때, 스퍼터링 과정에서 재증착 효과로 인해 상대적으로 뚜렷한 측면 벽을 얻기 어려우며, 특히 깊이 대비 폭 비율이 높은 미세 구조물에서 더욱 그렇다. 집중 이온 빔 가공 공정을 최적화하기 위해 단일 픽셀 라인 보조 스퍼터 에칭 방식을 제안하여 비뚤어진 측면 벽을 부분적으로 에칭 보정하여 재증착 현상을 개선하고 측면 벽의 뚜렷함을 향상시키고자 하였다. 셀룰러 오토마타 알고리즘을 사용하여 이 방법을 스퍼터링 과정에 적용할 때 각 매개변수가 에칭 결과에 미치는 영향을 수치 시뮬레이션 했으며, V자형 단면 측면 벽의 보정 효과를 얻었고, 실제 가공에서 국부 에칭 보정 위치 선택이 측면 벽 재증착 개선과 이온 빔 스팟 확산 간의 상충 관계가 있음을 지적하였다. 집중 이온 빔 에칭 실험을 통해 이 방법의 유효성을 검증하였으며, 국부 에칭 보정의 최적 위치를 확정하였다. 100nm 너비의 링형 미세 구조물을 에칭할 때, 채널 측면 벽의 보정 효과가 좋았으며, 깊이 대비 너비 비가 3:1인 구덩이 구조를 얻었다. 이 방법은 유사 미세 구조물의 재증착 현상 완화에 기술적 지원을 제공할 수 있다.

집중 이온 빔; 재증착 효과; 고깊이대너비비; 측면 벽 보정