실리콘 웨이퍼 장치의 정밀 연삭 가공 시 파손 손상 규칙 및 진화 메커니즘을 탐구하기 위해 단일 다이아몬드 입자를 이용한 단결정 실리콘 웨이퍼 미크론 스크래치 실험을 수행하였으며, 웨이퍼 가장자리의 접착 포장 유무 두 조건 하에서 스크래치 입구, 내부 및 출구 세 구간의 파손 손상 형상 특성을 분석하였고, 음향 방출 강도, 연삭력, 절삭 깊이, 마찰 계수와 파손 손상 간의 내재적 밀접 관계를 구축하였다. 단결정 실리콘의 파손 손상은 하중 압력 또는 절입 깊이 증가에 따라 악화되며 방출되는 음향 방출 신호 강도가 증가한다. 단결정 실리콘 내부 파손 발생 임계 임계 조건은: 하중 약 80 mN, 절입 깊이 약 2 µm, 음향 방출 강도 약 8%. 접착 포장은 단결정 실리콘 웨이퍼 가장자리의 인성 향상에 유의미한 효과가 있으며, 가장자리 파손 임계 임계 조건은: 하중 약 800 mN, 절입 깊이 약 6 µm, 음향 방출 강도 약 55%.

실리콘 웨이퍼;절삭;미크론 스크래치;파손 손상