전자빔 직접작성 고종횡비 Si3N4 박막 지지 격자 X선 콜리메이터

LI Yijie ,  

XIAO Jun ,  

CHEN Yifang ,  

TONG Xujie ,  

MU Chengyang ,  

摘要

새로운 X선 콜리메이터를 개발하기 위해 전자빔 리소그래피(EBL) 기술과 전기 도금 및 습식 화학 식각 공정을 결합하여 떠 있는 Si3N4 막 위에 대면적, 높은 종횡비, 마이크로미터 주기의 Au 격자를 제작했다. 필드 접합 영역의 노광 용량 조정을 통해 대면적 EBL 리소그래피 문제를 해결했고, 보강근 구조를 사용하여 높은 종횡비 및 고밀도 포토레지스트 템플릿 제작 시 선 붕괴 문제를 극복했으며, Si3N4 막 아래에 매우 얇은 Si 층(두께 25nm)을 유지하고 현상 공정을 개선하여 300nm 두께 Si3N4 막 위에서 두꺼운 포토레지스트 현상 시 발생하는 포토레지스트 파손 문제를 해결했다. 실험 결과, 제작된 2μm 주기, 종횡비 5.5, 면적 400μm×1000μm의 Au 격자는 8 keV 광자 에너지의 X선을 조절할 수 있음을 보여주었다. 제작된 Au 격자 슬릿은 선형 평행 X선 단층 촬영 시스템의 검출기 콜리메이터 또는 평면 평행 X선 단층 촬영 시스템의 광원 콜리메이터로 사용되어 시스템의 영상 속도를 향상시킬 수 있다.

关键词

X선 콜리메이터;Au 격자;전자빔 리소그래피;고종횡비;금 도금

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