다중 밴드 응답을 갖는 ZnO 기반 광스펙트럼 광전 탐지기를 얻기 위해 ZnO를 다른 좁은 밴드갭 반도체와 결합하여 이종 접합을 구성하였으며, 이를 기반으로 광전 탐지기를 제작하였다. 본 논문에서는 수열법과 연속 이온층 흡착 반응법을 결합하여 FTO 기판 위에 ZnO 나노막대/Bi₂S₃ 양자점 이종 접합 재료를 성공적으로 제작하였다. 주사 전자 현미경과 에너지 분광기를 통해 ZnO 나노막대/Bi₂S₃ 양자점 이종 접합의 표면 형태 및 원소 조성을 특성화하였다. 결과는 Bi₂S₃ 양자점이 ZnO 나노막대 전체에 균일하고 조밀하게 부착되어 있음을 보여주었다. 또한, 해당 ZnO 나노막대/Bi₂S₃ 양자점 이종 접합을 기반으로 제작된 탐지기는 외부 바이어스 없이 작동할 수 있어 자체 전력 공급 특성을 가진다. ZnO 나노막대 탐지기와 비교할 때, ZnO 나노막대/Bi₂S₃ 양자점 탐지기는 자외선 조사 시 광전류가 0.065 mA 증가하였으며, 이는 두 재료 사이에 형성된 이종 접합이 광유도 캐리어의 재결합을 효과적으로 억제하기 때문이다. 또한 ZnO 나노막대/Bi₂S₃ 양자점 탐지기는 가시광에 대해서도 우수한 탐지 성능을 보이며, 470 nm 파장의 청광과 530 nm 파장의 녹광에 대해 우수한 사이클 안정성을 나타내었다.

이종 접합; 자외선 탐지; 가시광 탐지; ZnO 나노막대; Bi₂S₃ 양자점