전자 빔 직접 쓰기 기술은 높은 해상도와 간단한 조작 등의 장점을 가지고 있으며, 미세 및 나노 곡면 장치 제작을 위한 이상적인 도구입니다. 감광제의 흡수 에너지 침적 밀도 분포는 직접 쓰기 후 형상의 정밀도와 해상도를 직접 결정하며, 곡면 직접 쓰기 시 흡수 에너지 침적 밀도 분포가 비대칭이므로 기존의 평면 직접 쓰기 공정은 곡면 직접 쓰기에 적합하지 않습니다. 본 논문에서는 입방체 계산 미소 요소에 기반한 몬테카를로 방법을 사용하여 다양한 직접 쓰기 매개변수 변화에 따른 흡수 에너지 침적 밀도 분포를 계산하였습니다. 시뮬레이션 결과, 입사 에너지 또는 입사 각도가 증가함에 따라 직접 쓰기 점의 타원률도 증가하며, 빔 직경과 감광제 두께를 줄이면 곡면 직접 쓰기의 해상도를 향상시킬 수 있음이 나타났습니다. 실험 결과, 다른 매개변수가 고정된 상태에서 입사 에너지(5, 10, 15 keV)와 입사 각도(5°, 10°, 15°) 단일 변수 실험을 수행한 결과, 직접 쓰기 점의 길이 대 너비 비율은 각각 1.458, 2.323, 2.924와 1.014, 1.113, 1.173이었습니다. 입사 에너지가 타원률 증가에 더 뚜렷한 영향을 미치는 것을 알 수 있습니다. 실험과 시뮬레이션 간 좋은 검증이 이루어졌으며, 본 논문의 결과는 곡면 직접 쓰기 공정 매개변수 선택에 이론적 근거를 제공합니다.

전자 빔 직접 쓰기;몬테카를로 시뮬레이션;흡수 에너지 침적 밀도;산란 단면적;곡면 장치