摘要
InGaAs 광전 음극의 광전자 방출 성능을 향상시키기 위해 새로운 활성화 공정을 연구하였으며, Cs/NF3 및 Cs/O 두 가지 활성화 방식을 사용하여 InGaAs 샘플에 대해 활성화 실험을 수행하였다. 동일 구조의 InGaAs 음극 샘플에 대해 활성화 실험, 감쇠 실험, 분광 반응 테스트 및 표면 성분 분석을 각각 수행하였으며, 백색광 광전류, 감쇠 안정성, 분광 반응 및 표면 성분 등의 측면에서 서로 다른 활성화 공정 하에서 음극의 성능 매개변수를 테스트하고 분석하였다. Cs/NF3와 Cs/O 두 가지 활성화 방식의 실험 결과를 비교한 결과, Cs/NF3로 활성화된 InGaAs 광전 음극이 백색광 광전류, 컷오프 파장 및 분광 반응 면에서 Cs/O 활성화 샘플보다 현저히 우수하였으며, 분광 반응의 향상 효과는 근적외선 영역에서 특히 두드러졌으며 1064nm에서 Cs/NF3 활성화된 음극의 분광 반응은 Cs/O 활성화 후의 4.7배에 달했다. 그러나 Cs/NF3 활성화로 더 높은 음극 안정성을 얻을 수 있는 GaAs 광전 음극과는 달리, Cs/O 활성화된 InGaAs 광전 음극의 안정성은 Cs/NF3 활성화보다 뚜렷이 우수하였으며, Cs/NF3 활성화의 컷오프 파장 및 분광 반응 우위는 연속 광조사 감쇠 후 사라졌다.
关键词
InGaAs 광전 음극; Cs/NF3 활성화; Cs/O 활성화; 안정성; 분광 반응
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