이 두 구조가 광전자 방출 성능에 미치는 영향을 더 잘 이해하기 위해, 두 가지 구조의 광전자 음극 샘플을 설계하고 성장시켜 광전자 방출 성능을 비교하였으며, 박막 광학의 행렬법으로 유도한 광학 성능 공식과 1차원 연속 방정식 해를 통해 유도된 양자 효율 모델을 이용하여 광전자 음극 발광층, 완충층 두께 변화 및 Al_xGa_{1-x}As 완충층에서 Al 조성 변화가 두 구조의 광전자 음극 광학 성능과 양자 효율에 미치는 영향을 비교 연구하였다. 이 두 구조가 광전자 방출 성능에 미치는 메커니즘은 다르기 때문에 효과도 크게 다르다. 점진적 밴드갭 구조의 광전자 음극은 내장 전기장을 도입하고 계면 재결합을 줄여 광전자 방출 성능을 향상시키며, DBR 구조는 파브리-페로 공진기를 형성하여 특정 파장의 입사광이 공진기 내에서 다중 반사되어 여러 번 흡수됨으로써 광전자 방출을 강화한다. 활성화 실험 결과 DBR 구조 샘플은 점진적 밴드갭 구조에 비해 발광 효율에서 명확한 우위를 보였으며, 특히 755, 808 및 880 nm에서 각각 37.5%, 38.9%, 47.0%의 더 높은 발광 효율 피크를 나타냈다. 마지막으로 모델을 사용하여 양자 효율 곡선을 적합시켜 복합 구조 광전자 음극에 대한 광학 성능 인자의 중요성과 이론 모델의 타당성을 검증하였다.

GaAs 광전자 음극;다층 복합 구조;광학 성능;양자 효율