GaAs 광음극 영상 증폭기의 나노초급 셔터 이미징에서 시공간 특성에 대해, 전송선 임피던스를 도입하여 광음극 반경 방향 RLC 전달 모델을 개선하였고, 이에 따라 셔터 과정 중 광 셔터의 변화 경향을 보다 정확하게 설명하였다. 실험 결과 이온 피드백 방지막을 제거하는 것이 광 셔터 개선에 유리하여 광 셔터가 전기 셔터와 더욱 일치하게 되었으며, 구동 전기 펄스 폭이 17.7 ns일 때 광 셔터 폭과 전기 셔터 폭의 차이는 1.1 ns에 불과하였다. 몬테카를로 시뮬레이션 방법을 기반으로 분할 선형 셔터 펄스 전압 구동 하에 1차 근접 후 광전자가 겪는 공간 확산 모델을 구축하였으며, 시뮬레이션 결과는 GaAs 광음극이 선택 이미징에서 S20 광음극보다 공간 해상도 저하가 더 적음을 보여주었다. 20 lp/mm에서 GaAs의 동적 공간 해상도는 정적 공간 해상도의 80%인 반면, S20 광음극은 70% 미만이었다. 이론 시뮬레이션은 실험 결과와 일치하며, 구축된 모델은 영상 증폭기 구조 매개변수 분석 및 최적화에 사용되어 선택 이미징 성능 최적화를 위한 이론적 근거를 제공한다.

GaAs 광음극;셔터 특성;동적 공간 해상도;영상 증폭기