고출력 청색 반도체 레이저 출력을 실현하기 위해 청색 레이저 바의 패키징 기술을 연구하였다. 금-주석 단단한 솔더를 이용하여 고출력 갈륨 나이트라이드(GaN) 청색 반도체 레이저 바를 패키징하였으며, 구리-텅스텐 전이 방열판을 버퍼층으로 사용하여 구리 방열판과 GaN 레이저 칩 사이의 패키징 잔류 응력을 억제하였다. 고정밀 디스펜서기를 사용하여 칩을 구리-텅스텐 전이 방열판에 공융 본딩하였다. 디스펜서기의 본딩 품질은 장치의 출력 특성에 직접적인 영향을 미치므로, 본딩 온도, 본딩 압력, 본딩 시간의 장치에 미치는 영향을 중점적으로 분석하였다. 실험 결과, 본딩 온도 320 ℃, 본딩 압력 0.5 N, 본딩 시간 40초일 때, 솔더 층 계면 내 공동이 가장 적고 열 저항이 최저 0.565 ℃/W, 문턱 전류가 4.9 A로 최저이며, 주입 전류 30 A에서 출력 광 출력이 최대 32.21 W, 최고 광전 변환 효율이 23.3%에 달했다. 따라서 본딩 온도, 본딩 압력, 본딩 시간 최적화 후 금-주석 단단한 솔더를 이용하여 청색 반도체 레이저 칩을 구리-텅스텐 전이 방열판에 공융 본딩하는 기술 방안은 청색 반도체 레이저 바의 고출력 작동을 실현하는 효과적인 방법이다.

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