8인치 화학기계연마(CMP) 장비에서 소형 구리 도금된 InP 웨이퍼의 박막 연마 작업을 실현하고, 장비의 호환성을 향상시키며, 공정 단계를 축소하고, 과도한 작업으로 인해 발생하는 InP 웨이퍼의 균열, 암상 손상 및 표면 입자 증가 등 문제를 줄이기 위해 특수 금형을 제작하여 소형 InP 웨이퍼를 8인치 CMP 장비에서 가공할 수 있게 하였다. 이후 InP 웨이퍼의 취성 문제를 고려하여 연마 헤드 압력, 회전수 및 연마 패드 회전수 등의 관련 공정 매개변수를 조정하여 후속 결합 공정의 요구를 충족시켰다. 실험 결과, 특수 금형 사용 시 연마 헤드 압력을 20.684 kPa로 조정하고, 연마 헤드 및 연마 패드 회전수를 각각 93 r/min 및 87 r/min로 설정할 때 InP 웨이퍼의 표면 조도는 Ra ≤ 1 nm에 도달하였으며, 표면 구리층 제거 속도는 3,857×10⁻¹⁰/min에 달하였다. 8인치 웨이퍼와의 후속 결합에서 결합 위치에 공동 등의 결함 발생을 방지하여 8인치 장비에서 2인치 InP 웨이퍼의 CMP 공정을 실현하였으며, CMP 공정 비용을 크게 절감하고, 웨이퍼 이송 중 표면 입자 증가 및 흠집 발생을 방지하였으며, InP 웨이퍼와 Si 웨이퍼의 이종 결합 및 Cu 상호 연결 공정을 구현하였다.

화학기계연마;인듐포스파이드;제거 속도;결합;표면 조도