알루미늄 기반 실리카 탄화물은 높은 탄성 계수와 경량 특성으로 인해 신세대 우주 광학 반사경의 이상적인 재료가 되었지만, 표면 산화 알루미늄 및 다상 계면 결함으로 인해 광학 거울면 요구 사항을 충족하기 어렵다. 알루미늄 기반 실리카 탄화물(SiC_p 체적 분율 20%) 표면의 니켈-인 비정질 막 제조 기술을 최적화하기 위해 '세척-1차 아연 침지-아연 탈리-2차 아연 침지-화학적 니켈 도금' 공정 경로를 사용하여 산화막 제거, 계면 활성화, 계면 결합 강도 향상 및 도금 두께 제어 등 핵심 문제 해결에 중점을 두었다. 1차 아연 침지 후 알루미늄 기반 실리카 탄화물 기지 표면에서 파편상 화합물이 생성되어 산화 알루미늄 박막을 일부 제거할 수 있지만, 형성된 활성화층 두께는 얇고 쉽게 박리된다. 질산 아연 탈리 처리는 화합물 층을 제거하고 기지 재료를 노출시킬 수 있다. 2차 아연 침지 후 넓은 범위의 전면 활성화가 이루어지고 실리카 탄화물 입자의 표면도 활성화층으로 덮여, 비활성 처리 전보다 계면 결합 강도가 향상된다. L₉ 직교 실험 결과 화학적 도금 시간이 도금 두께에 가장 크게 영향을 미치며, 다음으로 2차 아연 침지 시간과 1차 아연 침지 시간이 영향을 준다. 최적 매개변수 조합은 화학 도금 8시간, 1차 아연 침지 10초, 2차 아연 침지 2분이며 도금 두께는 약 50~60 μm이다. 본 공정은 단계별 활성화와 결정체 적층 성장 메커니즘을 통해 도금 계면 결합 강도와 재료 치밀도를 협력적으로 향상시켜 우주 광학 반사경의 높은 안정성 요구에 대한 표면 개질 방안을 제공한다.

알루미늄 기반 실리카 탄화물;복합 재료;표면 활성화;화학적 니켈 도금;도금 두께