Mo-Si 다층막 증착 과정에서 Mo와 Si 원자 간의 자발적인 열역학적 혼합으로 인해 실리사이드 전이 층이 쉽게 형성됩니다. 동시에 미세한 요철은 다주기 성장의 누적 효과로 계속 확대됩니다. 이러한 층간 상호 확산과 계면 거칠기는 광학 계면의 굴절률 대비를 급격히 감소시켜 다층막의 전체 반사 성능과 노광 효율을 현저히 저하시킵니다. 이 문제를 해결하기 위해 계면 확산과 박막 성장의 미시 물리 메커니즘을 깊이 분석하고, 경사 증착과 사면 식각을 결합한 복합 최적화 공정 방법을 제안하였습니다. 기존 이중 이온빔 스퍼터 시스템에 대한 심도 있는 방향성 하드웨어 개조를 통해 스퍼터 입자의 에너지와 입사 궤적을 정밀하게 조절하였습니다. 실험 결과, 추가적인 계면 확산 차단층 없이(차단층으로 인한 광 흡수 손실 회피) 본 방법이 Mo-Si 계면의 확산층 두께를 0.6nm까지 크게 감소시키고, 층간 거칠기를 0.2nm 이하로 엄격하게 제어하여 EUV 고반사 Mo-Si 다층막 제조에 잠재적으로 적용 가능한 공정 지침을 제공함을 보여주었습니다.

Mo-Si 다층 반사막;EUV 리소그래피;이중 이온빔 스퍼터 증착;경사 증착;사면 식각