Ao processar microestruturas usando a tecnologia de feixe de íons focalizado, devido ao efeito de redepósito durante o processo de sputtering, é difícil obter paredes laterais bastante verticais, especialmente para microestruturas com alta relação profundidade/largura. Para otimizar o processo de fabricação com feixe de íons focalizado, foi proposta uma técnica de gravação assistida por linha de pixel único para correção localizada das paredes laterais não verticais, visando melhorar o fenômeno de redepósito e aumentar a verticalidade das paredes laterais. Utilizando o algoritmo de autômato celular, foi realizada uma simulação numérica dos efeitos dos diversos parâmetros desse método no resultado da gravação durante o processo de sputtering, obtendo-se um efeito de correção das paredes laterais com seção transversal em forma de V, indicando a contradição na escolha da posição da correção localizada entre a melhoria do redepósito na parede lateral e a disseminação do ponto do feixe de íons no processamento real. Experimentos de gravação com feixe de íons focalizado verificaram a efetividade do método, determinando a melhor posição para a correção localizada; na gravação de microestrutura anelar com largura de 100 nm, a correção das paredes do canal foi boa, obtendo-se uma estrutura de sulco com relação profundidade/largura de 3:1. Este método pode fornecer suporte técnico para mitigar o fenômeno de redepósito em microestruturas similares.

Feixe de íons focalizado; efeito de redepósito; alta relação profundidade/largura; correção de paredes laterais