Para explorar as leis de danos por fratura e os mecanismos de evolução no processamento de dispositivos de wafers de silício por moagem de precisão, foram realizados experimentos de microarranhões com um único grão de diamante em wafers de silício monocristalino. Foram analisadas as características morfológicas dos danos por fratura nas três seções da rajada — entrada, interna e saída — sob condições com e sem revestimento adesivo na borda do wafer, estabelecendo uma relação intrínseca estreita entre a intensidade da emissão acústica, força de moagem, profundidade de corte, coeficiente de atrito e danos por fratura. O dano por fratura no silício monocristalino agrava-se com o aumento da pressão de carregamento ou da profundidade de corte, acompanhado de aumento na intensidade do sinal de emissão acústica liberado. As condições de limiar crítico para a fratura interna do silício monocristalino são: carga de aproximadamente 80 mN, profundidade de corte de aproximadamente 2 µm, intensidade de emissão acústica de aproximadamente 8%. O revestimento adesivo tem um efeito significativo de tenacidade na borda do wafer de silício monocristalino; as condições de limiar crítico para a fratura da borda são: carga de aproximadamente 800 mN, profundidade de corte de aproximadamente 6 µm, intensidade de emissão acústica de aproximadamente 55%.

wafers de silício;corte;microarranhão;danos por fratura