Colimador de raios X com grade suportada em filme fino de Si3N4 de alta relação profundidade/largura escrito diretamente por feixe de elétrons

LI Yijie ,  

XIAO Jun ,  

CHEN Yifang ,  

TONG Xujie ,  

MU Chengyang ,  

摘要

Para desenvolver um novo colimador de raios X, foi utilizada a técnica de litografia por feixe de elétrons (EBL), combinada com processos de eletrodeposição e gravação química úmida, para fabricar uma grade óptica de Au de grande área, com alta relação de profundidade para largura e período micrométrico, sobre uma membrana suspensa de Si3N4. O problema da litografia EBL em grandes áreas foi resolvido ajustando a dose de exposição na região da junção dos campos; o problema do colapso das linhas na fabricação de moldes de fotopolímero de alta densidade e alta relação de profundidade para largura foi superado usando uma estrutura de reforço; mantendo uma camada muito fina de Si (25 nm de espessura) sob a membrana de Si3N4 e melhorando o processo de revelação, o problema da ruptura do fotopolímero espesso durante a revelação na membrana de Si3N4 de 300 nm de espessura foi superado. Os resultados experimentais mostram que a grade de Au preparada, com um período de 2 μm, relação de profundidade para largura de 5,5 e área de 400 μm × 1000 μm, pode modular raios X com energia de fótons de 8 keV. A fenda da grade de Au preparada pode ser usada como colimador de detector em sistemas de imagem tomográfica de raios X lineares, ou como colimador de fonte em sistemas de imagem tomográfica de raios X planos, melhorando a velocidade de imagem do sistema.

关键词

Colimador de raios X;grade de Au;litografia por feixe de elétrons;alta relação profundidade/largura;eletrodeposição de ouro

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