A tecnologia de escrita direta por feixe de elétrons possui vantagens como alta resolução e operação simples, sendo uma ferramenta ideal para a fabricação de dispositivos com superfícies micro e nano. A distribuição da densidade de energia absorvida no fotoresiste determina diretamente a precisão e resolução do padrão após a escrita. Devido à distribuição assimétrica da densidade de energia absorvida durante a escrita em superfícies curvas, os processos atuais de escrita em superfícies planas não são mais adequados para superfícies curvas. Este artigo utiliza o método de Monte Carlo baseado em elementos cúbicos para calcular a distribuição da densidade de energia absorvida sob diferentes variações dos parâmetros de escrita. Os resultados da simulação mostram que, com o aumento da energia incidente ou do ângulo de incidência, a elipticidade do ponto de escrita também aumenta; enquanto a redução do diâmetro do feixe e da camada de resina pode melhorar a resolução da escrita em superfícies curvas. Os resultados experimentais indicam que, mantidos os demais parâmetros constantes, ao realizar experimentos de variável única com energias incidentes (5, 10, 15 keV) e ângulos de incidência (5°, 10°, 15°), as razões de comprimento para largura dos pontos de escrita foram 1,458, 2,323, 2,924 e 1,014, 1,113, 1,173 respectivamente. Pode-se observar que o aumento da energia incidente tem um efeito mais evidente no aumento da elipticidade. Houve boa validação entre experimento e simulação, e os resultados deste artigo fornecem base teórica para a escolha dos parâmetros do processo de escrita em superfícies curvas.

escrita direta por feixe de elétrons;simulação Monte Carlo;densidade de energia absorvida;seção transversal de espalhamento;dispositivos de superfícies curvas