Foi proposta e demonstrada uma metodologia que utiliza gravação por feixe de íons de feixe largo para realizar uma "redução transversal" simultânea de múltiplas estruturas metálicas nanométricas em forma de halteres, formando espaçamentos nanométricos extremamente pequenos, permitindo um processamento rápido de múltiplas estruturas de espaçamento metálico nanométrico. Estruturas de resist definidas por exposição a feixe de elétrons foram transferidas para as estruturas metálicas em forma de halteres através de deposição metálica convencional e remoção úmida, e por fim foi utilizada a gravação por feixe de íons de feixe largo para o acabamento. Os experimentos mostraram que o controle preciso do tempo de gravação pode reduzir a distância entre as duas nanoantenas da estrutura em forma de halteres para menos de 10 nm. Combinando o processo de padronização baseado em resist negativo HSQ, é possível fabricar estruturas metálicas suspensas com espaçamentos nanométricos no molde nano HSQ. A caracterização morfológica da superfície permitiu obter as leis da evolução da forma das nanostruturas durante o processo de gravação, e experimentos e simulações sistemáticas verificaram as vantagens das estruturas metálicas suspensas para espalhamento Raman amplificado por superfície. Esta solução oferece uma nova ideia para a moldagem simultânea de múltiplas estruturas de espaçamento metálico extremamente pequenas e possui potencial promissor para a fabricação eficiente e de baixo custo de substratos de detecção Raman em grande escala.

Gravação por feixe de íons;exposição por feixe de elétrons;espaçamento metálico nanométrico;<10 nm;detecção Raman