Para realizar a medição morfológica de vias de silício com razão profundidade/largura maior que 6∶1, foi proposta uma metodologia de detecção por interferometria microscópica no infravermelho próximo baseada na compensação de aberrações. Este método utiliza luz de banda larga no infravermelho próximo como fonte, capaz de penetrar as vias de silício; o sistema de detecção inclui um módulo adaptativo de compensação de aberrações com espelho deformável embutido, que compensa ativamente as aberrações moduladas introduzidas pelas vias de silício. Na medição da morfologia tridimensional das vias de silício, com base na regra de aberrações moduladas da luz detectada da estrutura tridimensional com alta razão profundidade/largura, obtida por meio da simulação por elementos finitos do COMSOL Multiphysics, orienta-se a configuração dos tipos e valores de aberrações a serem compensados pelo espelho deformável, usando um limiar da função de avaliação baseada no domínio de frequência para julgar o estado de foco da imagem da base da via, obtendo-se a imagem clara da base da via a ser medida, melhorando essencialmente a capacidade de refocalização da luz detectada. Com base nisso, utiliza-se o método de interferometria por varredura vertical para obter a profundidade e a distribuição morfológica tridimensional da via a ser medida. Foram medidas vias profundas de silício com diâmetro de 10 μm, profundidade de 65 μm e razão 6,5∶1 e diâmetro de 10 μm, profundidade de 103 μm e razão 10,3∶1, sendo os resultados comparados com medições SEM de alta precisão, apresentando erro relativo na medição de profundidade de 1%. Em comparação com a medição por interferometria microscópica de luz branca, o método proposto pode obter imagens claras da base de vias de silício com alta razão profundidade/largura, reforçando efetivamente o sinal de interferência de banda larga na base e o contraste, permitindo medir com precisão a morfologia tridimensional de vias com razão ainda maior.

medição não destrutiva;interferometria óptica microscópica;compensação adaptativa de aberrações;simulação COMSOL;morfologia de vias de silício