Para melhorar o desempenho de emissão fotoelétrica do fotocátodo InGaAs, foi investigado um novo processo de ativação, utilizando dois métodos de ativação Cs/NF₃ e Cs/O para realizar experimentos de ativação nas amostras de InGaAs. Para amostras de fotocátodo InGaAs com a mesma estrutura, foram realizados experimentos de ativação, experimentos de decaimento, testes de resposta espectral e análise da composição superficial. Os parâmetros de desempenho do cátodo sob diferentes processos de ativação foram testados e analisados sob as perspectivas de corrente fotoelétrica de luz branca, estabilidade de decaimento, resposta espectral e composição da superfície. A comparação dos resultados da ativação Cs/NF₃ e Cs/O mostra que o fotocátodo InGaAs ativado por Cs/NF₃ apresenta desempenho claramente superior ao ativado por Cs/O em corrente fotoelétrica de luz branca, comprimento de corte e resposta espectral. O efeito de ampliação da resposta espectral é especialmente evidente na faixa do infravermelho próximo, onde, em 1064 nm, a resposta espectral do cátodo ativado por Cs/NF₃ é 4,7 vezes maior do que a do ativado por Cs/O; no entanto, ao contrário do fotocátodo GaAs ativado por Cs/NF₃ que pode obter maior estabilidade do cátodo, a estabilidade do fotocátodo InGaAs ativado por Cs/O é claramente superior à ativada por Cs/NF₃, e a vantagem da ativação Cs/NF₃ no comprimento de corte e na resposta espectral desaparece após o decaimento contínuo sob iluminação.

Fotocátodo InGaAs; ativação Cs/NF₃; ativação Cs/O; estabilidade; resposta espectral