A estrutura celular interna conectada possui aplicações muito importantes nos campos de engenharia de tecidos, cultivo celular, difusão de fluidos, difusão térmica de materiais e ciência de superfícies. É adotado um método de gravação em duas etapas, combinando gravação anisotrópica e isotrópica, controlando parâmetros de gravação (fluxo de gás, ciclo de liberação, potência de gravação, pressão interna, temperatura de gravação do material de silício) para obter estruturas celulares internas conectadas no material de silício em uma área próxima a 10 mm², com um número entre 2,2×10⁵ e 9,5×10⁵ com espaçamentos diferentes. O método de gravação Bosch usado no plasma de acoplamento indutivo (ICP) é utilizado para gravação anisotrópica do silício; mediante a deposição de polímero na superfície sob plasma de fluorcarbono, é possível reduzir a eficiência da gravação lateral, tornando a estrutura com paredes laterais verticais com alta relação de aspecto. Sem a aplicação de plasma de gás protetor, o ICP pode atuar como equipamento de gravação isotrópica a gás. A capacidade de gravação isotrópica baseada em ICP possui vantagens sobre a gravação anisotrópica, como alta taxa de gravação do silício, boa controlabilidade e alta seletividade de gravação. Este método permite a fabricação de estruturas celulares internas conectadas em materiais à base de silício, com controle preciso do espaçamento da estrutura celular, boa uniformidade, além de fabricação rápida em grande escala, com etapas simples e curto ciclo de fabricação.

gravação isotrópica;estrutura celular;conexão interna;taxa de gravação