Para alcançar a saída de laser semicondutor azul de alta potência, foi estudada a tecnologia de encapsulamento das barras de laser azul. Utilizou-se solda dura de ouro-estanho para encapsular barras de laser semicondutor azul de alta potência de nitreto de gálio (GaN). Um dissipador térmico de transição de cobre-tungstênio foi usado como camada de buffer para suprimir o estresse residual da embalagem entre o dissipador de cobre e o chip laser GaN, e o chip foi ligado euteticamente ao dissipador térmico de transição de cobre-tungstênio usando uma máquina de colocação de alta precisão. A qualidade da colocação afeta diretamente as características de saída do dispositivo, por isso o efeito da temperatura de soldagem, pressão e tempo da máquina de colocação no dispositivo foi analisado em profundidade. Os resultados experimentais mostram que quando a temperatura de soldagem da máquina de colocação é de 320 ℃, a pressão de soldagem é de 0,5 N e o tempo de soldagem é de 40 s, os vazios na interface da camada de solda são mínimos, a resistência térmica é a mais baixa em 0,565 ℃/W, a corrente limite é a mais baixa em 4,9 A, na corrente de injeção de 30 A a potência óptica de saída máxima foi de 32,21 W e a eficiência máxima de conversão fotoelétrica atingiu 23,3%. Portanto, após otimizar a temperatura, pressão e tempo de soldagem, usar solda dura de ouro-estanho para conectar euteticamente o chip do laser semicondutor azul ao dissipador térmico de transição de cobre-tungstênio é uma maneira eficaz de realizar o funcionamento de alta potência das barras de laser semicondutor azul.

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