No processo de exposição MLA, o número de pontos de exposição é grande, e determinar a qualidade da exposição utilizando microscópio de alta ampliação combinado com inspeção manual consome muito tempo e esforço, resultando em altos custos do processo. Para resolver esse problema, foi projetado um padrão em anel fácil de detectar e introduzido o modelo de detecção de objetos Yolov5 do aprendizado profundo, que pode substituir em certa medida a inspeção manual e completar a determinação rápida da qualidade da exposição. Com base neste método, foram analisados os intervalos ótimos da densidade de energia linear e o ângulo do perfil do fotorresiste sob diferentes espessuras de fotorresiste. Sob a mesma densidade de energia linear, foi determinada a distorção do padrão de exposição por circularidade. No processo de exposição MLA deste estudo, a seleção da espessura do fotorresiste, da potência de exposição a laser e da velocidade de movimento da plataforma de processamento como variáveis independentes tem importante significado de engenharia para avaliar a taxa de aprovação da exposição, o ângulo do perfil do fotorresiste e a circularidade da exposição.

Litografia sem máscara;Matriz de microlentes;Taxa de aprovação da exposição;Detecção de objetos