Para realizar o processo de afinamento e polimento de wafers InP revestidos com cobre de pequeno tamanho em equipamentos de polimento químico-mecânico (CMP) de 8 polegadas, melhorar a compatibilidade do equipamento, reduzir etapas do processo e diminuir problemas causados por operações excessivas, como fissuras, danos ocultos e aumento de partículas na superfície dos wafers InP, foi fabricado um molde especial para permitir o processamento dos wafers InP de pequeno tamanho no equipamento CMP de 8 polegadas. Em seguida, devido à fragilidade dos wafers InP, foram ajustados parâmetros do processo, como a pressão da cabeça de polimento, a velocidade de rotação da cabeça e da almofada de polimento, para atender aos requisitos do processo de ligação subsequente. Os resultados experimentais mostraram que, com o uso do molde especial, quando a pressão da cabeça de polimento foi ajustada para 20,684 kPa, e as velocidades da cabeça e da almofada foram 93 rpm e 87 rpm, respectivamente, a rugosidade da superfície dos wafers InP atingiu Ra ≤ 1 nm; a taxa de remoção da camada superficial de cobre atingiu 3.857×10⁻¹⁰/min; a posterior ligação com wafers de 8 polegadas evitou defeitos como vazios nas posições de ligação, realizando o processo CMP de wafers InP de 2 polegadas em equipamentos de 8 polegadas, reduzindo significativamente o custo do processo CMP, evitando também o aumento de partículas superficiais e arranhões durante a transferência, realizando a ligação heterogênea de wafers InP com wafers de Si e o processo de interconexão de Cu.

polimento químico-mecânico;fosfeto de índio;taxa de remoção;ligação;rugosidade da superfície