Para melhorar a qualidade de fabricação de painéis Micro-LED a nível de painel, é necessário remover e reparar in situ os chips Micro-LED defeituosos. Utilizando COMSOL, foi estabelecido um modelo de ablação a laser de dupla temperatura, e foi realizada a otimização do mecanismo de remoção a laser de chips Micro-LED defeituosos e dos parâmetros do processo. O limiar de ablação do Micro-LED foi estimado a partir do quadrado do diâmetro da mancha superficial formada pela ablação a laser de pulso único, foi ajustada a relação entre os parâmetros do laser e a profundidade de ablação, e a precisão do modelo de ablação a laser de dupla temperatura foi verificada. Foram analisadas as características de ablação e o mecanismo de remoção dos chips correspondentes sob diferentes taxas de sobreposição da mancha de laser, densidade de energia e trajetórias de varredura. Combinando o modelo de ablação a laser de dupla temperatura, foi concluída a otimização do trajeto de varredura a laser e dos parâmetros de processo correspondentes. Os resultados mostram que o erro máximo de análise do modelo de ablação a laser de femtossegundos para o processamento de chips Micro-LED é de 9,28%, que o modo otimizado de remoção a laser alcança uma rápida e precisa separação de 1 segundo por chip e um reparo de alta qualidade do nivelamento da superfície das pastilhas, o que tem um papel importante na orientação para o reparo rápido de chips defeituosos na produção em larga escala de painéis Micro-LED de grande área.

laser de femtossegundos;remoção in situ;display de diodo emissor de luz micro;chips defeituosos