A melhoria das propriedades de contato elétrico entre a interface de SiC e o metal ajuda a impulsionar o desenvolvimento de materiais SiC na área de dispositivos de alta frequência e alta potência. Foi realizado um tratamento de recozimento a laser de femtossegundo próximo ao infravermelho com comprimento de onda de 1030 nm na superfície do 4H-SiC para estudar o efeito de diferentes parâmetros do laser no recozimento. Por meio de técnicas analíticas como microscopia eletrônica de varredura, espectroscopia fotoeletrônica de raios X e espectroscopia Raman confocal, foram investigadas as mudanças na morfologia da superfície, distribuição de elementos e estrutura de ligação das amostras recozidas a laser de femtossegundo. O estudo revelou que as mudanças nas propriedades elétricas da interface de contato resultam da estrutura de grafite desordenada gerada pelo recozimento a laser, bem como da estrutura SiO_x/Si com defeitos de vacância de oxigênio, que não apenas reduzem a altura da barreira de Schottky na interface e aumentam a condutividade da interface, mas também alteram o nível de Fermi da superfície do 4H-SiC, melhorando significativamente o desempenho elétrico da interface. Com o recozimento por laser de femtossegundo, a barreira de Schottky na interface SiC foi alterada de 1,43 eV para 0,69 eV, e a concentração de portadores variou de 5,40×10¹³ cm^-3 para 1,77×10¹⁸ cm^-3. Este estudo desenvolveu um método eficaz para otimizar as propriedades elétricas da interface SiC utilizando recozimento ultrarrápido a laser.

laser femtossegundo;carbeto de silício;interface de contato;barreira de Schottky