Avanços na pesquisa de lasers semicondutores na faixa de 852 nm

SUN Longlong ,  

TANG Jilong ,  

ZHANG Cong ,  

DAI Qian ,  

SONG Haizhi ,  

WEI Zhipeng ,  

摘要

O laser semicondutor de 852 nm está altamente alinhado com a transição da linha D₂ do átomo de césio, sendo uma fonte de luz chave em relógios atômicos de césio, sensoriamento quântico, controle de átomos frios e sistemas de espectroscopia de precisão. Este sistema revisa os progressos de pesquisa dos lasers semicondutores na faixa de 852 nm em relação ao sistema de materiais de poço quântico, design de estrutura do dispositivo, otimização do desempenho principal e aplicações de engenharia. Sob a perspectiva da evolução dos materiais, foram analisadas as lógicas de desenvolvimento dos sistemas AlGaAs/GaAs, InGaAsP/GaAs sem alumínio e InAlGaAs/GaAs, esclarecendo as conexões intrínsecas entre a capacidade de confinamento de portadores, confiabilidade da superfície da cavidade, estabilidade térmica e eficiência de conversão eletro-óptica. O estado atual do desenvolvimento dos tipos de dispositivos foi resumido: lasers de realimentação distribuída (DFB), lasers emissores de superfície de cavidade vertical (VCSEL), lasers de realimentação externa, lasers emissores de superfície de cavidade externa vertical (VECSEL) e lasers emissores laterais de alta potência, comparando suas diferenças em largura de linha, potência, eficiência de inclinação, estabilidade de modo único e integração do sistema. Finalmente, foram analisados os produtos comerciais de lasers semicondutores de 852 nm nacionais e internacionais, indicando que o mercado doméstico ainda está focado na distribuição, embalagem de módulos e integração de máquinas completas, enquanto os chips centrais e os chips de ganho ainda dependem de fornecedores estrangeiros. No futuro, os lasers semicondutores de 852 nm se desenvolverão em direção a largura de linha estreita, alta potência, alta eficiência, ampla estabilidade térmica, alta confiabilidade e integração em nível de chip, apoiando a nova geração de relógios atômicos de césio e sistemas de medição quântica precisa.

关键词

laser semicondutor; estrutura de poço quântico; indicadores principais de desempenho; relógio atômico de césio

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