В процессе осаждения многослойных пленок Mo-Si спонтанное термодинамическое смешение атомов Mo и Si легко приводит к образованию переходного слоя силицида. В то же время микроскопические неровности постоянно усиливаются в результате кумулятивного эффекта роста многократных циклов. Такое межслойное взаимное диффузионное распределение и шероховатость интерфейса резко уменьшают контраст показателя преломления на оптическом интерфейсе, что значительно снижает общую отражательную способность многослойных пленок и эффективность литографии. В ответ на эту проблему была глубоко проанализирована микрофизическая механика диффузии на интерфейсе и роста пленки, и предложен комбинированный метод оптимизации, сочетающий наклонное осаждение и гравировку под острым углом. Благодаря глубокому направленному усовершенствованию традиционной системы двойного ионного распыления была достигнута точная регулировка энергии рассеянных частиц и углов падения. Экспериментальные результаты показали, что без необходимости введения дополнительного слоя-барьера диффузии интерфейса (что исключило оптические потери из-за поглощения барьерного слоя), данный метод успешно уменьшил толщину диффузионного слоя на интерфейсе Mo-Si до 0,6 нм и жестко контролировал межслойную шероховатость ниже 0,2 нм, предоставляя потенциальное технологическое руководство для производства высокоотражающих многослойных пленок Mo-Si в диапазоне EUV.

Многослойные отражающие пленки Mo-Si; EUV литография; двойное ионное распыление; наклонное осаждение; гравировка под острым углом