Durante el proceso de deposición de películas multicapa Mo-Si, la mezcla termodinámica espontánea entre átomos de Mo y Si favorece la formación de una capa de transición de siliciuro. Al mismo tiempo, las fluctuaciones microscópicas se amplifican continuamente debido al efecto acumulativo del crecimiento por múltiples ciclos. Esta difusión interfacial y la rugosidad de la interfaz disminuyen drásticamente el contraste del índice de refracción en la interfaz óptica, reduciendo significativamente el rendimiento general de reflexión de las películas multicapa y la eficiencia de la fotolitografía. Para abordar este problema, se analizaron en profundidad los mecanismos físicos microscópicos de la difusión en la interfaz y el crecimiento de la película, y se propuso un método compuesto de optimización que combina la deposición angular y el grabado rasante. A través de una mejora dirigida profunda del sistema tradicional de pulverización por doble haz de iones, se logró un control preciso de la energía de las partículas de pulverización y de la trayectoria de incidencia. Los resultados experimentales muestran que, sin necesidad de introducir una capa adicional de barrera de difusión en la interfaz (evitando así las pérdidas de absorción óptica causadas por la capa barrera), este método logró reducir significativamente el grosor de la capa de difusión en la interfaz Mo-Si a 0,6 nm, y controlar estrictamente la rugosidad entre capas por debajo de 0,2 nm, proporcionando así una guía potencial para la fabricación de sistemas de películas multicapa Mo-Si de alta reflexión EUV.

Películas reflectantes multicapa Mo-Si; Fotolitografía EUV; Deposición por pulverización iónica doble; Deposición angular; Grabado rasante