Avances en la investigación de láseres de semiconductor en la banda de 852 nm

SUN Longlong ,  

TANG Jilong ,  

ZHANG Cong ,  

DAI Qian ,  

SONG Haizhi ,  

WEI Zhipeng ,  

摘要

El láser de semiconductor de 852 nm se ajusta estrechamente a la transición de la línea D₂ del átomo de cesio, siendo una fuente de luz clave en relojes atómicos de cesio, sensores cuánticos, control de átomos fríos y sistemas de espectroscopía precisa. El sistema revisa los avances en investigación de láseres de semiconductor en la banda de 852 nm con respecto al sistema de materiales de pozo cuántico, diseño de estructura de dispositivos, optimización del rendimiento central y aplicaciones de ingeniería. Desde la perspectiva de evolución de materiales se analizan los sistemas AlGaAs/GaAs, InGaAsP/GaAs sin aluminio y InAlGaAs/GaAs, explicando la relación intrínseca entre la capacidad de confinamiento de portadores, la fiabilidad de la superficie de la cavidad, la estabilidad térmica y la eficiencia de conversión electroóptica. Se resumen los estados de desarrollo de los tipos de dispositivos: láseres de retroalimentación distribuida (DFB), láseres de emisión superficial con cavidad vertical (VCSEL), láseres con retroalimentación externa, láseres de emisión superficial con cavidad externa vertical (VECSEL) y láseres de emisión lateral de alta potencia, comparando sus diferencias en ancho de línea, potencia, eficiencia de pendiente, estabilidad monomodal e integración sistemática. Finalmente, se analizan los productos comerciales nacionales e internacionales de láseres de semiconductor de 852 nm, señalando que el mercado nacional aún se centra en la distribución, el empaquetado de módulos y la integración de sistemas completos, mientras que los chips centrales y los chips de ganancia todavía dependen del suministro extranjero. En el futuro, los láseres de semiconductor de 852 nm evolucionarán hacia línea estrecha, alta potencia, alta eficiencia, amplia estabilidad térmica, alta confiabilidad e integración a nivel de chip, apoyando la nueva generación de relojes atómicos de cesio y sistemas de medición cuántica precisa.

关键词

láser de semiconductor; estructura de pozo cuántico; indicadores de rendimiento clave; reloj atómico de cesio

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成,翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果,本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website