反应磁控溅射法制备氮化铝钪薄膜

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反应磁控溅射法制备氮化铝钪薄膜

现代应用光学 | 更新时间：2020-09-28

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- 反应磁控溅射法制备氮化铝钪薄膜
- Preparation of ScAlN thin film through reactive magnetron sputtering
- 陈宇昕，刘玉菲，尚正国
- 光学精密工程 2020年28卷第9期页码：1924-1929
- 作者机构：
  1.重庆大学光电工程学院, 重庆 400044
  2.重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400044
- 作者简介：
  陈宇昕(1995-), 男, 河北邯郸人, 硕士, 2017年于重庆大学获得学士学位, 主要从事硅基氮化铝、氮化铝钪及其他MEMS工艺方面的研究。E-mail:20133013@cqu.edu.cn
  尚正国(1981-), 男, 河南洛阳人, 高级工程师, 重庆大学MEMS工艺平台技术骨干人员, 2014年于重庆大学获得博士学位, 主要从事硅基AlN薄膜制备及其声波器件工艺等方面的研究。E-mail:zhengry@cqu.edu.cnSHANG Zheng-guo, E-mail: zhengry@cqu.edu.cn
- 基金信息：
  重庆市基础科学与前沿技术研究项目(cstc2017jcyjAX0237);重庆市研究生研究与创新基金资助项目(CYS18036);国家863高技术研究与发展计划先进制造技术领域基金资助项目(2015AA042603);国家重点研发计划基金资助项目(2018YFF010111200)
- DOI： 10.37188/OPE.20202809.1924
  中图分类号：
- 修回：2020-2-18 ，
  录用：2020-2-18 ，
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