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基于磨粒三维轨迹的钽酸锂双面研磨均匀性
基于磨粒三维轨迹的钽酸锂双面研磨均匀性
Double-sided lapping uniformity of LiTaO3 based on three-dimensional trajectory of particles
- “研究人员建立了考虑磨粒三维微切削的材料去除均匀性模型,通过运动学分析推导了磨粒运动轨迹方程,研究了转速比m、n对钽酸锂晶片研磨均匀性的影响,实验验证当m=0.85、n=1.3时材料去除均匀性最佳,为改善晶片双面研磨加工质量提供了理论指导。”
- 光学精密工程 2024年32卷第13期 页码:2081-2090
DOI: 10.37188/OPE.20243213.2081
修回:2024-03-13
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南京航空航天大学 机电学院, 江苏省精密与微细制造技术重点实验室


