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网络出版日期:1979-02-15,
纸质出版日期:1979-02-15
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李懋廉, 施评治. 一氧化硅薄膜剩余应力的退火[J]. 光学精密工程, 1979,(1): 32-33
. [J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1979,(1): 32-33
李懋廉, 施评治. 一氧化硅薄膜剩余应力的退火[J]. 光学精密工程, 1979,(1): 32-33 DOI:
. [J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1979,(1): 32-33 DOI:
郝兰(Holland)等(1960)曾经在对这个杂志的通讯备忘录中提出过
如果薄膜在700℃或以上的温度退火
或当淀积时基底温度是200℃或更高
那么淀积在碳酸钠石灰玻璃上的一氧化硅薄膜的内应力能够被消除。我们曾经对于一氧化硅的应力进行过研究(1961年真空讨论汇编)
同时在这个备忘录中我们将描述退火过程的一些细节。
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