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网络出版日期:1978-06-15,
纸质出版日期:1978-06-15
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杨晓雯, 金春植. HCl氧化降低硅靶视像管的暗电流[J]. 光学精密工程, 1978,(3): 60-63
. [J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1978,(3): 60-63
杨晓雯, 金春植. HCl氧化降低硅靶视像管的暗电流[J]. 光学精密工程, 1978,(3): 60-63 DOI:
. [J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1978,(3): 60-63 DOI:
在干氧和微量HCl混合气氛中生长靶的氧化层
能明显降低硅靶视像管的暗电流在标准的1时硅靶视像管中
已经获得了小于0。6nA的暗电流
比之已发表的一般硅靶管的暗流要小十倍。发现暗电流的降低主要是由于降低了表面产生速率
增加了产生的少子寿命
而对于这种低暗电流的靶
体内产生电流将是暗电流的主要成分。同时还发现将HCl氧化的硅片在氧化后或在硼扩再分布后进行氮退火
则有助于降低暗电流
减少电视图像中的亮斑点。
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