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网络出版日期:1980-08-15,
纸质出版日期:1980-08-15
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金春植. 硅靶摄象管靶面的击穿[J]. 光学精密工程, 1980,(4): 44-48
. [J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1980,(4): 44-48
金春植. 硅靶摄象管靶面的击穿[J]. 光学精密工程, 1980,(4): 44-48 DOI:
. [J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1980,(4): 44-48 DOI:
本文讨论了靶面的厚薄对硅靶摄象管电特性的影响.由于靶面减薄的不均匀
局部过薄区域在监视器上会出现与此相对应的白区.推导了当耗尽层穿透n区时p
++
—n—n
+
结耗尽层的宽度
最大场强和击穿电压的表达式.用此公式对监视器上出现的白区进行了分析
明确了白区的出现是由于靶面局部过薄区域p
二极管击穿的结果.
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