掺杂BaF2晶体闪烁性能的研究

龚晓辉

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掺杂BaF₂晶体闪烁性能的研究

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 掺杂BaF₂晶体闪烁性能的研究
- Investigation of the Scintillation Properties of Doped BaF₂ Crystal
- 光学精密工程 1992年0卷第2期页码：31-33
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  中图分类号：
- 网络出版日期：1992-04-15，
  
  纸质出版日期：1992-04-15
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龚晓辉. 掺杂BaF2晶体闪烁性能的研究[J]. 光学精密工程, 1992,(2): 31-33

Gong Xiaohui. Investigation of the Scintillation Properties of Doped BaF2 Crystal[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1992,(2): 31-33
龚晓辉. 掺杂BaF2晶体闪烁性能的研究[J]. 光学精密工程, 1992,(2): 31-33 DOI：

Gong Xiaohui. Investigation of the Scintillation Properties of Doped BaF2 Crystal[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1992,(2): 31-33 DOI：

摘要

在 BaF

晶体中掺人 LaF

CeF

NaF 结晶出 BaF

(La)

BaF

(Ce)

BaF

(Na)晶体

经测试

其中 BaF

(La)晶体闪烁发光快成分的强度比纯 BaF

晶体不减弱

而发光慢成分被抑制3倍

耐辐照能力可以达10

rad

表明新晶体有希望满足未来高能物理实验的要求。同时我们对 BaF

晶体自身的损伤机制和闪烁机制进行了深入研究。

Abstract

Doped BaF

crystals have been grown with LaF

CeF

NaF doped in BaF

and the scintillation properties of the new crystal have been investigated before and after a r irradiation of

Co source.The radiation resistance of the doped crystal can be up to a dose of 10

rad.Comparing with a pure BaF

scintillator

it was found that the fast component of the BaF

(La)scintillator was almost no change but its slow component was suppressed to a factor of 3.Furthermore

the scintillation mechanisms and damage mechanisms in BaF

are discussed.

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